Descripción
Transistor planar de silicio NPN diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia media. Ofrece una combinación óptima de alta corriente de colector, velocidad de respuesta y eficiencia térmica en un encapsulado compacto. Su arquitectura planar garantiza estabilidad eléctrica en condiciones de operación exigentes, mientras que su amplio rango de temperatura lo hace apto para entornos industriales críticos. Ideal para fuentes de alimentación, control de motores y etapas de driver en equipos de telecomunicaciones y automatización.
Características Destacadas
- Transistor NPN de silicio con alta densidad de corriente
- Voltaje colector-emisor de 100 V para aislamiento robusto
- Corriente continua de 4 A con picos de hasta 10 A
- Frecuencia de transición de 130 MHz para respuesta dinámica
- Disipación térmica de 1.2 W con resistencia térmica controlada
- Encapsulado TO-92 estándar para compatibilidad universal
Especificaciones Técnicas
Voltajes
VCBO200 V
VCEO100 V
VEBO6 V
VCE(sat)14 – 200 mV
VBE(sat)960 – 1100 mV
Corrientes
IC (continua)4 A
IC (pico)10 A
ICBO5 – 10 nA
IEBO10 nA
Frecuencia y Ganancia
fT130 MHz
ftest50 MHz
hFE100 – 300
Potencia y Térmico
PTOT1.2 W
Rth(j-a)150 °C/W
Rth(j-c)50 °C/W
Toperación-55 °C a +200 °C
Mecánicas
EncapsuladoTO-92
