Descripción
El transistor de potencia RF MRF1518T1 es un dispositivo FET de canal N diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. Su alta ganancia de potencia de 11 dB y rendimiento de banda ancha lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM móviles de 12.5 voltios. El dispositivo ofrece excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de desadaptación severas, garantizando operación confiable en entornos exigentes.
Características Principales
- Transistor FET de canal N con potencia de salida de 8 W
- Frecuencia máxima de operación de 520 MHz
- Alta ganancia de potencia de 11 dB
- Eficiencia del 55% a 12.5 Vcc
- Estabilidad térmica superior para operación continua
- Diseño SMD en envase plástico RF
- Capacidad para manejar 20:1 VSWR @ 15.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie
Especificaciones Técnicas
Tipo de Dispositivo
FET Canal N
Potencia de Salida
8 W
Frecuencia Máxima
520 MHz
Voltaje de Operación
12.5 Vcc
Ganancia de Potencia
11 dB
Eficiencia
55% @ 12.5 Vcc
Tolerancia VSWR
20:1 @ 15.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB sobremodulación
Encapsulado
SMD plástico RF
Caracterización de Impedancia
Parámetros equivalente en serie, señal grande
Aplicaciones Típicas
Amplificadores de fuente común de gran señal, equipos FM móviles de 12.5 V, sistemas de comunicación de banda ancha comercial e industrial, transmisores RF en frecuencias de hasta 520 MHz.
