Descripción
Transistor NPN epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Ofrece alta eficiencia energética con operación estable hasta 27 MHz, ideal para equipos de comunicación y transmisores. Su encapsulado T-30E garantiza disipación térmica optimizada, permitiendo manejar 13 watts de potencia de salida de forma confiable. Es compatible como reemplazo directo del modelo 2SC1945, facilitando mantenimiento y actualización de equipos existentes.
Características principales
- Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
- Frecuencia de operación hasta 27 MHz
- Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
- Potencia de salida de 13 watts
- Reemplazo directo para modelo 2SC1945
- Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada
Especificaciones técnicas
Tipo
NPN Epitaxial de Silicio
Frecuencia máxima
27 MHz
Voltaje máximo
12 Vcc
Potencia de salida
13 W
Encapsulado
T-30E
Compatibilidad
Reemplazo 2SC1945
