Descripción
Transistor NPN Epitaxial de Silicio para RF de Potencia
Este transistor NPN epitaxial de silicio está diseñado para aplicaciones de amplificación de radiofrecuencia de potencia con alta eficiencia energética. Opera a una frecuencia máxima de 30 MHz con estabilidad térmica y eléctrica garantizada por su estructura epitaxial de silicio. La tensión de colector de 13.5 Vcc permite integrarlo en etapas de salida de transmisores y amplificadores de RF que requieren manejo de señales de alta potencia. Su encapsulado T-40E proporciona disipación térmica eficiente para operación continua en entornos industriales exigentes.
Características Principales
- Transistor NPN epitaxial de silicio para baja distorsión armónica
- Frecuencia máxima de operación: 30 MHz
- Tensión de colector: 13.5 Vcc
- Potencia máxima de salida: 70 W
- Encapsulado formato T-40E para montaje industrial
- Optimizado para amplificación RF de potencia
Especificaciones Técnicas
Tipo de Transistor
NPN Epitaxial de Silicio
Frecuencia Máxima
30 MHz
Tensión de Colector
13.5 Vcc
Potencia de Salida
70 W
Encapsulado
T-40E
Aplicación Principal
Amplificación RF de Potencia
