Descripción
Transistor de Potencia NPN en Silicio
Este transistor NPN de silicio está diseñado para aplicaciones de alta potencia que demandan control eficiente de corriente y voltaje. Su arquitectura permite manejar hasta 15 A de corriente de colector con una disipación térmica de 80 W, manteniendo una baja caída de voltaje en saturación de 1.0 V que minimiza las pérdidas energéticas. El encapsulado TO-3PM garantiza una instalación robusta y una disipación de calor óptima en entornos industriales. Es ideal para sistemas de conmutación, inversores de alta frecuencia, generadores ultrasónicos y etapas de amplificación de potencia.
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para alta potencia
- Voltaje colector-base (VCBO) hasta 500 V
- Corriente máxima de colector (IC) de 15 A
- Disipación de potencia (PC) hasta 80 W
- Baja caída de voltaje en saturación VCE(sat): 1.0 V
- Encapsulado TO-3PM para alta confiabilidad térmica
Aplicaciones Típicas
- Reguladores de switcheo (SMPS)
- Inversores de alta frecuencia
- Generadores ultrasónicos
- Amplificadores de potencia de uso general
Especificaciones Técnicas
Voltaje Colector-Base
VCBO = 500 V
Voltaje Colector-Emisor
VCEO = 400 V
Voltaje Emisor-Base
VEBO = 7 V
Corriente de Colector
IC = 15 A
Disipación de Potencia
PC = 80 W
Tensión de Ruptura V(BR)CEO
400 V
Tensión de Ruptura V(BR)CBO
500 V
VCE(sat) Saturación
1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
VBE(sat) Saturación
1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
Corriente de Fuga ICBO
1.0 mA (VCB=500V, IE=0)
Encapsulado
TO-3PM
