Descripción
Este protector de datos para Gigabit Ethernet utiliza tecnología SASD con diodos de avalancha de silicio, ofreciendo protección permanente sin degradación por transitorios eléctricos. A diferencia de los protectores basados en varistores de óxido de metal (MOV) que se degradan con el tiempo, los diodos de avalancha de silicio mantienen su rendimiento óptimo tras múltiples eventos de sobretensión. Su diseño bidireccional protege los pines críticos de red en ambas direcciones, mientras que su compatibilidad con montaje en rack 19′ y 23′ (0.6 m y 0.7 m) facilita su integración en centros de datos y salas de equipos. La respuesta ultrarrápida y el alto rendimiento minimizan costos operativos al reducir fallos de equipos electrónicos sensibles.
Características principales
- Tecnología SASD con diodo de avalancha de silicio
- Protección permanente sin degradación por transitorios eléctricos
- Velocidad de datos hasta 1000 Mbps Gigabit Ethernet
- Protección bidireccional en pines críticos de red
- Voltaje máximo de operación 6 Vpk
- Diseño para montaje en rack 19′ y 23′ (0.6 m y 0.7 m)
Especificaciones técnicas
Tecnología de protección
SASD – Diodo de avalancha de silicio
Velocidad de datos
Hasta 1000 Mbps (Gigabit Ethernet)
Conector
RJ45
Dirección de protección
Bidireccional
Voltaje máximo de operación
6 Vpk
Montaje
Rack 19′ y 23′ (0.6 m y 0.7 m) – Interior
Degradación por transitorios
Ninguna (tecnología SASD)
Aplicación
Equipos de red IP
