Descripción
Memoria microSDXC de 128 GB diseñada para aplicaciones de captura de video de alta resolución en drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades secuenciales de lectura de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, cumpliendo con los estándares V30, U3 y A2 para garantizar la grabación continua de contenido 4K y el desempeño de aplicaciones instaladas. La arquitectura NAND TLC incorpora algoritmos avanzados de wear leveling que distribuyen uniformemente los ciclos de escritura, extendiendo la durabilidad del dispositivo. Su encapsulado resiste condiciones ambientales severas, incluyendo rangos térmicos de -25°C a 85°C, inmersión en agua, impactos mecánicos, radiación de rayos X, campos magnéticos y descargas electrostáticas.
Características Generales
- Capacidad: 128 GB
- Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s
- Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s
- Clase de velocidad: V30, U3, A2, Clase 10
- Tipo de memoria: NAND TLC
- Wear leveling avanzado integrado
- Rango de temperatura operativa: -25°C a 85°C
- Resistencia a agua, golpes, rayos X, magnetismo y electricidad estática
Desempeño
- Lectura secuencial: 180 MB/s
- Escritura secuencial: 150 MB/s
- Clase de aplicación: A2
- Clase de video: V30
- Clase UHS: U3
- Clase de velocidad: Clase 10
- Tecnología NAND: TLC con wear leveling avanzado
Físicas y Ambientales
- Formato: microSDXC
- Temperatura operativa: -25°C a 85°C
- Resistencia al agua: Sí
- Resistencia a impactos y vibraciones: Sí
- Resistencia a rayos X: Sí
- Resistencia a magnetismo: Sí
- Resistencia a electricidad estática: Sí
Contenido del Paquete
- Memoria microSDXC HIKSEMI CAPTURE E3 de 128 GB
- Adaptador SD (según configuración de empaque del fabricante)
