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Puente Rectificador / 6 A / 800 V PIV / Silicio / 560 V RMS / -55°C a +150°C

$3.09$3.58 +IVAIVA Inc. (USD)

En existencia

RS-606

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SKU:RS-606 Categories:, , Brand:

Puente rectificador de silicio en configuración de línea para rectificación de onda completa. Diseñado para aplicaciones de potencia con capacidad de 6 A de corriente promedio rectificada y soporta voltajes inversos pico recurrentes de hasta 800 V. El encapsulado compacto permite su integración en fuentes de alimentación, cargadores de batería, variadores de velocidad y equipos de control industrial. Presenta resistencia térmica junction-to-case de 3.1 °C/W que facilita el diseño de sistemas de disipación. Opera en rango de temperatura de -55°C a +150°C para entornos industriales exigentes.

Características Generales

  • Corriente promedio rectificada: 6.0 A
  • Voltaje inverso pico recurrente (VRRM): 800 V
  • Voltaje RMS máximo (VRMS): 560 V
  • Voltaje DC bloqueo máximo: 800 V
  • Corriente de pico de sobrecarga (IFSM): 150 A
  • Corriente cuadrada tiempo (I²t): 93.3 A²/seg
  • Rango temperatura operación: -55°C a +150°C
  • Voltaje directo máximo (VF): 1.1 V
  • Corriente inversa DC máxima (IR): 5.0 μA
  • Corriente inversa DC a 100°C: 200 μA
  • Resistencia térmica RθJC: 3.1 °C/W
  • Resistencia térmica RθJA: 8.6 °C/W
  • Terminales: planas

Desempeño Eléctrico

Corriente promedio rectificada: 6.0 A
Voltaje inverso pico (VRRM): 800 V
Voltaje RMS máximo: 560 V
Voltaje DC bloqueo: 800 V
Corriente pico sobrecarga (IFSM): 150 A
I²t: 93.3 A²/seg
Voltaje directo máx (VF): 1.1 V
Corriente inversa máx (IR): 5.0 μA
IR a 100°C: 200 μA

Térmicas y Físicas

Rango temperatura: -55°C a +150°C
RθJC: 3.1 °C/W
RθJA: 8.6 °C/W
Terminales: planas
Material: silicio

Contenido del Paquete

Puente rectificador RS606

  • Rectificación de onda completa en encapsulado de línea
  • Corriente de sobrecarga de pico de 150 A para protección
  • Resistencia térmica RθJC de 3.1 °C/W para disipación eficiente
  • Rango operativo extendido de -55°C a +150°C
  • Corriente inversa máxima de 5.0 μA a 25°C
  • Encapsulado compacto para montaje en PCB versátil

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