Transistor Dual MOSFET / 175 MHz / 50 W / 14.5 dB Ganancia / 12.5 V / 200°C

Este transistor dual MOSFET de canal N en modo de enriquecimiento lateral está diseñado para aplicaciones de RF de banda ancha hasta 175 MHz. Ofrece alta ganancia de potencia de 14.5 dB con una alimentación de 12.5 V, logrando una eficiencia del 55% con disipación térmica de 165 W. Su resistencia térmica de 0.75°C/W permite operación confiable hasta 200°C de temperatura de unión. Incluye protección contra sobrecalentamiento y soporta condiciones de desajuste de antena VSWR 20:1, ideal para amplificadores de potencia en comunicaciones profesionales.

Características Principales

• Transistor dual MOSFET de canal N, modo de enriquecimiento lateral
• Diseño optimizado para aplicaciones de banda ancha hasta 175 MHz
• Alta ganancia y estabilidad térmica en operación continua
• Paquete plástico con capacidad de operación hasta 200°C
• Terminales libres de plomo, cumplen con normativa RoHS
• Protección integrada contra sobrecalentamiento

Especificaciones Técnicas